الوقاية من التقليد والعيوب
فحص التصوير والتغليف
التحقق من الأداء الكهربائي
البريد الإلكتروني للخدمة:
[email protected]
>
BSZ0804LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
1000400 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
طلب عرض سعر
(يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5.0 / 5.0
- (464 التقييمات)
BSZ0804LSATMA1
نظرة عامة على المنتج
12975911
رقم الجزء DiGi Electronics
BSZ0804LSATMA1-DGالمُصنّع
Infineon Technologies
BSZ0804LSATMA1
وصف
MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSONالمخزون
1000400 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 100 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
شراء واستفسار
الضمان والإرجاع
كيفية الطلب
الشحن والتوصيل
ضمان الجودة
ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.
استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.
مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة
الشحن العالمي والتغليف الآمن
التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل
عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%
تتبع فوري لكل طلب
دفع آمن ومرن
بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد
جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان
BSZ0804LSATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
OptiMOS™ 5
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Ta), 40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 36µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2100 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8 FL
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ0804
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
تحميل BSZ0804LSATMA1 مواصفات المنتج (PDF)
أوراق البيانات
BSZ0804LS
ورقة بيانات HTML
BSZ0804LSATMA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
SP001648318
448-BSZ0804LSATMA1DKR
448-BSZ0804LSATMA1CT
448-BSZ0804LSATMA1TR
قطع بديلة
رقم الجزء
المُصنِّع
الكمية المتاحة
DiGi رقم الجزء
سعر الوحدة
نوع الاستبدال
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
정확하고 빠른 배송 덕분에 업무에 큰 도움이 됐어요. 제품도 매우 만족스럽습니다.
Dec 02, 2025
Ils se démarquent par leur organisation logistique et leur excellent support client.
Dec 02, 2025
Je suis impressionné par leur rapidité à traiter et expédier mes commandes.
Dec 02, 2025
I appreciate their focus on delivering value through quality and cost.
Dec 02, 2025
Their competitive pricing and reliable build make their products a smart choice.
Dec 02, 2025
Excellent logistics and support services make them a standout provider.
Dec 02, 2025
The value I get from DiGi Electronics’ products is unmatched.
Dec 02, 2025
I’ve been impressed with how their components maintain performance after repeated use.
Dec 02, 2025
Whenever I had a question, customer service responded rapidly and professionally.
Dec 02, 2025
We appreciate their proactive communication and efficient handling of after-sales issues.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
الأسئلة المتداولة (FAQ)
ما هي الميزات الرئيسية لترانزستور MOSFET من نوع Infineon BSZ0804LSATMA1؟
يُعد ترانزستور MOSFET من نوع BSZ0804LSATMA1 ذو قناة-N، مخصص للكفاءة العالية، حيث يتحمل جهد سحب-مصدر يصل إلى 100 فولت، ويستمر في تدفق التيار حتى 40 أمبير عند درجة حرارة البيئة، ويتميز بمقاومة Rds(on) منخفضة قدرها 9.6 مللي أوم. يُستخدم حزمة سطحية التثبيت من نوع PG-TDSON-8 ويدعم التشغيل من -55°C إلى 150°C.
هل يُناسب ترانزستور MOSFET من نوع Infineon BSZ0804LSATMA1 التطبيقات الإلكترونية للطاقة؟
نعم، يُعتبر هذا الترانزستور مناسبًا لمجموعة واسعة من التطبيقات الإلكترونية للطاقة مثل مُحركات القيادة، ومصادر الطاقة، ومحولات التيار المستمر-تيار المستمر (DC-DC)، بفضل قدرته العالية على حمل التيارات المنخفضة، ومقاومته Rds(on) المنخفضة، وقدرته على تفريغ الطاقة العالية.
ما مدى توافق وترتيب جهد التشغيل لترانزستور MOSFET من نوع BSZ0804LSATMA1؟
يملك الترانزستور جهد سحب-مصدر أقصى قدره 100 فولت، ويمكن تشغيله بواسطة جهد بوابة يتراوح بين 4.5 فولت و10 فولت، مما يجعله متوافقًا مع أنظمة إدارة الطاقة القياسية.
ما هي مزايا اختيار ترانزستور MOSFET من سلسلة OptiMOS™ 5 من Infineon؟
تُقدم سلسلة OptiMOS™ 5 مقاومة Rds(on منخفضة، وكفاءة عالية، وأداء حراري ممتاز، مما يساعد على تقليل خسائر الطاقة وتحسين موثوقية النظام بشكل عام في تصاميمك الإلكترونية.
هل يمكنني شراء ترانزستور MOSFET من نوع BSZ0804LSATMA1 بكميات كبيرة، وما هو نطاق الضمان؟
نعم، يتوفر هذا الترانزستور بكميات كبيرة، حيث يوجد أكثر من مليون وحدة في المخزون، ويضمن ضمان المصنع وخدمة الدعم الجودة وموثوقية التوريد لمشاريعك.
ضمان الجودة (QC)
تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.
BSZ0804LSATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ0804LSATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
