SIDR680ADP-T1-RE3 >
SIDR680ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
9624 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 80 V 30.7A (Ta), 137A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
طلب عرض سعر (يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
SIDR680ADP-T1-RE3
5.0 / 5.0 - (226 التقييمات)

SIDR680ADP-T1-RE3

نظرة عامة على المنتج

12939824

رقم الجزء DiGi Electronics

SIDR680ADP-T1-RE3-DG

المُصنّع

Vishay Siliconix
SIDR680ADP-T1-RE3

وصف

MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK

المخزون

9624 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 80 V 30.7A (Ta), 137A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
الكمية
الحد الأدنى 1

شراء واستفسار

ضمان الجودة

ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.

استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.

مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة

الشحن العالمي والتغليف الآمن

التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل

عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%

تتبع فوري لكل طلب

دفع آمن ومرن

بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد

جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان

متوفر في المخزون (جميع الأسعار بالدولار الأمريكي)
  • الكمية سعر الهدف إجمالي السعر
  • 3000 1.0054 3016.2411
  • 6000 0.9572 5743.2840
  • 9000 0.9255 8329.6800
أفضل سعر من خلال طلب عرض الأسعار عبر الإنترنت
طلب عرض سعر (يشحن غداً)
* الكمية
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

SIDR680ADP-T1-RE3 المواصفات الفنية

فئة ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع Vishay

تعبئة Tape & Reel (TR)

سلسلة TrenchFET® Gen IV

حالة المنتج Active

نوع FET N-Channel

التقنية MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 80 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية 30.7A (Ta), 137A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على) 7.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs 2.88mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف 3.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 83 nC @ 10 V

Vgs (ماكس) ±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 4415 pF @ 40 V

ميزة FET -

تبديد الطاقة (الحد الأقصى) 6.25W (Ta), 125W (Tc)

درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب Surface Mount

حزمة جهاز المورد PowerPAK® SO-8DC

العبوة / العلبة PowerPAK® SO-8

رقم المنتج الأساسي SIDR680

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

SIDR680ADP-T1-RE3

ورقة بيانات HTML

SIDR680ADP-T1-RE3-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 1 (Unlimited)
حالة الوصول Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR
742-SIDR680ADP-T1-RE3TR
742-SIDR680ADP-T1-RE3CT

قطع بديلة

رقم الجزء
المُصنِّع
الكمية المتاحة
DiGi رقم الجزء
سعر الوحدة
نوع الاستبدال
RS6N120BHTB1
Rohm Semiconductor
2573
RS6N120BHTB1-DG
0.4224
Similar

Publish Evalution

* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

ضمان الجودة (QC)

تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.

ضمان الجودة
الوقاية من التقليد والعيوب

الوقاية من التقليد والعيوب

فحص شامل لتحديد المكونات المزيفة أو المجددة أو المعطوبة، لضمان توصيل قطع أصلية ومتوافقة فقط

فحص التصوير والتغليف

فحص التصوير والتغليف

التحقق من الأداء الكهربائي

التحقق من مظهر المكون، العلامات، رموز التاريخ، سلامة التعبئة، وتناسق الملصقات لضمان التتبعية والتوافق.

تقييم الحياة والموثوقية

شهادة ديجيDiGi
مدونات ومشاركات
SIDR680ADP-T1-RE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
لا توجد لديك حسابات بعد؟ تسجيل