الوقاية من التقليد والعيوب
فحص التصوير والتغليف
التحقق من الأداء الكهربائي
البريد الإلكتروني للخدمة:
[email protected]
>
SIR516DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
500100 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
طلب عرض سعر
(يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5.0 / 5.0
- (200 التقييمات)
SIR516DP-T1-RE3
نظرة عامة على المنتج
12968163
رقم الجزء DiGi Electronics
SIR516DP-T1-RE3-DGالمُصنّع
Vishay Siliconix
SIR516DP-T1-RE3
وصف
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWالمخزون
500100 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
شراء واستفسار
الضمان والإرجاع
كيفية الطلب
الشحن والتوصيل
ضمان الجودة
ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.
استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.
مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة
الشحن العالمي والتغليف الآمن
التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل
عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%
تتبع فوري لكل طلب
دفع آمن ومرن
بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد
جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان
SIR516DP-T1-RE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
7.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1920 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
العبوة / العلبة
PowerPAK® SO-8
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
تحميل SIR516DP-T1-RE3 مواصفات المنتج (PDF)
أوراق البيانات
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
ورقة بيانات HTML
SIR516DP-T1-RE3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIR516DP-T1-RE3CT
742-SIR516DP-T1-RE3TR
742-SIR516DP-T1-RE3DKR
قطع بديلة
رقم الجزء
المُصنِّع
الكمية المتاحة
DiGi رقم الجزء
سعر الوحدة
نوع الاستبدال
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
J’ai été agréablement surpris par la vitesse de livraison et la sécurité de l’emballage.
Dec 02, 2025
Schnelle Lieferung und dauerhafte Qualität – so funktioniert Einkauf bei DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
いつも迅速かつ丁寧に対応してくれるので、信頼しています。こちらの要望も親身に叶えてくれます。
Dec 02, 2025
DiGi Electronics consistently provides support that aligns with our expectations.
Dec 02, 2025
The support team was proactive and attentive to my needs after purchase.
Dec 02, 2025
Prompt shipment and sturdy packaging demonstrated their professionalism.
Dec 02, 2025
My order arrived sooner than expected, and the customer service team was very helpful afterward.
Dec 02, 2025
Their after-sales service is reliable and always ready to assist with any concerns.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics's shipping process is seamless, saving me valuable time on project deadlines.
Dec 02, 2025
Their quality of post-purchase support reassures me that I made the right choice.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
الأسئلة المتداولة (FAQ)
ما هي المميزات الرئيسية لترانزستور MOSFET من نوع Vishay SIR516DP-T1-RE3؟
يعد ترانزستور MOSFET من نوع Vishay SIR516DP-T1-RE3 من نوع N-Channel موجه للطباعة على السطح، بجهد تصنيف يبلغ 100 فولت وتيار الكشف المستمر 16.8 أمبير عند درجة حرارة 25°C. يتميز بمقاومة Rds On منخفضة تبلغ 8 ميليΩ عند 10 أمبير، مما يجعله مناسبًا للتطبيقات ذات الكفاءة العالية في الطاقة. يتم تغليفه في حزمة PowerPAK® SO-8 لسهولة التثبيت على السطح وإدارة الحرارة.
ماهي التطبيقات التي يناسبها هذا الترانزستور MOSFET بجهد 100 فولت؟
يُعد هذا الترانزستور MOSFET من نوع N-Channel بجهد 100 فولت مثاليًا للاستخدام في إدارة الطاقة، ومزودات الطاقة ذات التبديل، والتحكم في المحركات، وغيرها من الدوائر الإلكترونية ذات التيار العالي التي تتطلب تبديلًا فعالًا وإنتاجية منخفضة للحرارة. سعة التيار العالية تجعله مناسبًا للتطبيقات الكهربائية ذات الأحمال الثقيلة.
هل يتوافق ترانزستور Vishay SIR516DP-T1-RE3 مع تصميمات لوحات الدوائر المطبوعة (PCB) القياسية؟
نعم، يأتي الجهاز في حزمة PowerPAK® SO-8، وهي حزمة موجهة للسطح ومتوافقة مع تصميمات لوحات الدوائر المطبوعة القياسية. تم تصميمه ليتيح سهولة التكامل مع الدوائر الحالية والتصاميم الجديدة على حد سواء.
ما هي فوائد استخدام هذا الترانزستور MOSFET بدلاً من الترانزستورات السيليكون التقليدية؟
يقدم هذا الترانزستور MOSFET مقاومة Rds On أقل، وكفاءة أعلى، وأداء تبديل أفضل بالمقارنة مع الترانزستورات السيليكون التقليدية. تساعد شحنته على البوابة المنخفضة وسعة التيار العالية على تقليل فاقد الطاقة ومتطلبات إدارة الحرارة.
كيف يمكنني شراء ودعم ترانزستور Vishay SIR516DP-T1-RE3؟
يتوفر ترانزستور Vishay SIR516DP-T1-RE3 على المخزون لدى الموزعين العالميين. للدعم الفني أو الاستفسارات الخاصة بالضمان، يُرجى التواصل مع وكلاء Vishay المعتمدين أو الرجوع إلى ورقة البيانات الخاصة بالمنتج للحصول على المواصفات الدقيقة وتعليمات الاستخدام.
ضمان الجودة (QC)
تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.
SIR516DP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR516DP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
productDetail
