SIR580DP-T1-RE3 >
SIR580DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
1041 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 80 V 35.8A (Ta), 146A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
طلب عرض سعر (يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
SIR580DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (436 التقييمات)

SIR580DP-T1-RE3

نظرة عامة على المنتج

12950694

رقم الجزء DiGi Electronics

SIR580DP-T1-RE3-DG

المُصنّع

Vishay Siliconix
SIR580DP-T1-RE3

وصف

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

المخزون

1041 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 80 V 35.8A (Ta), 146A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
الكمية
الحد الأدنى 1

شراء واستفسار

ضمان الجودة

ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.

استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.

مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة

الشحن العالمي والتغليف الآمن

التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل

عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%

تتبع فوري لكل طلب

دفع آمن ومرن

بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد

جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان

متوفر في المخزون (جميع الأسعار بالدولار الأمريكي)
  • الكمية سعر الهدف إجمالي السعر
  • 1 1.0722 1.0722
  • 10 1.0443 10.4430
  • 30 1.0267 30.8010
  • 100 1.0077 100.7700
أفضل سعر من خلال طلب عرض الأسعار عبر الإنترنت
طلب عرض سعر (يشحن غداً)
* الكمية
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

SIR580DP-T1-RE3 المواصفات الفنية

فئة ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع Vishay

تعبئة Tape & Reel (TR)

سلسلة TrenchFET® Gen V

حالة المنتج Active

نوع FET N-Channel

التقنية MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 80 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية 35.8A (Ta), 146A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على) 7.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف 4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 76 nC @ 10 V

Vgs (ماكس) ±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 4100 pF @ 40 V

ميزة FET -

تبديد الطاقة (الحد الأقصى) 6.25W (Ta), 104W (Tc)

درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب Surface Mount

حزمة جهاز المورد PowerPAK® SO-8

العبوة / العلبة PowerPAK® SO-8

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

SIR580DP

ورقة بيانات HTML

SIR580DP-T1-RE3-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIR580DP-T1-RE3CT
742-SIR580DP-T1-RE3TR
742-SIR580DP-T1-RE3DKR

Publish Evalution

* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

ضمان الجودة (QC)

تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.

ضمان الجودة
الوقاية من التقليد والعيوب

الوقاية من التقليد والعيوب

فحص شامل لتحديد المكونات المزيفة أو المجددة أو المعطوبة، لضمان توصيل قطع أصلية ومتوافقة فقط

فحص التصوير والتغليف

فحص التصوير والتغليف

التحقق من الأداء الكهربائي

التحقق من مظهر المكون، العلامات، رموز التاريخ، سلامة التعبئة، وتناسق الملصقات لضمان التتبعية والتوافق.

تقييم الحياة والموثوقية

شهادة ديجيDiGi
مدونات ومشاركات
SIR580DP-T1-RE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
لا توجد لديك حسابات بعد؟ تسجيل