SISS76LDN-T1-GE3 >
SISS76LDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
360300 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
طلب عرض سعر (يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
SISS76LDN-T1-GE3
5.0 / 5.0 - (353 التقييمات)

SISS76LDN-T1-GE3

نظرة عامة على المنتج

12945157

رقم الجزء DiGi Electronics

SISS76LDN-T1-GE3-DG

المُصنّع

Vishay Siliconix
SISS76LDN-T1-GE3

وصف

MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK

المخزون

360300 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
الكمية
الحد الأدنى 1

شراء واستفسار

ضمان الجودة

ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.

استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.

مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة

الشحن العالمي والتغليف الآمن

التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل

عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%

تتبع فوري لكل طلب

دفع آمن ومرن

بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد

جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان

متوفر في المخزون (جميع الأسعار بالدولار الأمريكي)
  • الكمية سعر الهدف إجمالي السعر
  • 1 13.3567 13.3567
أفضل سعر من خلال طلب عرض الأسعار عبر الإنترنت
طلب عرض سعر (يشحن غداً)
* الكمية
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

SISS76LDN-T1-GE3 المواصفات الفنية

فئة ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع Vishay

تعبئة Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

سلسلة TrenchFET® Gen IV

حالة المنتج Active

نوع FET N-Channel

التقنية MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) 70 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على) 3.3V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs 6.25mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف 1.6V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs 33.5 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس) ±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds 2780 pF @ 35 V

ميزة FET -

تبديد الطاقة (الحد الأقصى) 4.8W (Ta), 57W (Tc)

درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب Surface Mount

حزمة جهاز المورد PowerPAK® 1212-8SH

العبوة / العلبة PowerPAK® 1212-8SH

رقم المنتج الأساسي SISS76

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

N-Channel 70 V (D-S) MOSFET

ورقة بيانات HTML

SISS76LDN-T1-GE3-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 1 (Unlimited)
حالة الوصول Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SISS76LDN-T1-GE3DKR
742-SISS76LDN-T1-GE3CT
742-SISS76LDN-T1-GE3TR

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
청***늘
Dec 02, 2025
5.0
비용 대비 성능이 뛰어나서 구매한 후 후회 없어요.
Leben***chter
Dec 02, 2025
5.0
Die Website arbeitet effizient, was mir beim täglichen Geschäft sehr hilft. Plus, die Preise sind super.
夢***旅人
Dec 02, 2025
5.0
発送が迅速で、届いた商品も非常に満足できるものでした。
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

الأسئلة المتداولة (FAQ)

ما هي الميزات الرئيسية لترانزستور MOSFET من نوع Vishay SISS76LDN-T1-GE3 من نوع N-channel؟

يقدم هذا الترانزستور خصائص مثل جهد صرف (Drain-to-Source) يصل إلى 70 فولت، وتيار صرف مستمر يصل إلى 67.4 أمبير عند درجة حرارة الحالة، مع مقاومة Rds On منخفضة تبلغ 6.25 ميلي أوم، مما يجعله مناسبًا لتطبيقات الطاقة ذات الكفاءة العالية. ويُصنع باستخدام تقنية TrenchFET® من الجيل الرابع ويأتي في حزمة Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH.

هل يتوافق ترانزستور Vishay SISS76LDN-T1-GE3 مع محركات التحكم ذات الجهد المنخفض؟

نعم، يمكن تشغيل هذا الترانزستور بجهود تحكم منخفضة تصل إلى 3.3 فولت، بفضل الحد الأقصى لجهد تشغيل البوابة وخصائص Rds On المنخفضة، مما يجعله متوافقًا مع دوائر التحكم الحديثة ذات الجهد المنخفض.

ما هي التطبيقات النموذجية لاستخدام هذا الترانزستور PowerPAK؟

يُعد هذا الترانزستور من نوع N-channel مثاليًا للتبديل في مصادر الطاقة ذات الكفاءة العالية، ومحركات الأقراص، إضاءة LED، وتطبيقات أخرى تتطلب قدرة عالية على التعامل مع التيارات وتقليل خسائر التوصيل.

هل يناسب Vishay SISS76LDN-T1-GE3 البيئات ذات درجات الحرارة المرتفعة؟

نعم، يعمل في نطاق درجات حرارة من -55 درجة مئوية إلى 150 درجة مئوية، مما يتيح له الأداء بشكل موثوق في ظروف حرارية صعبة غالبًا ما توجد في الإلكترونيات الكهربية والطاقة.

ما هي خيارات الضمان والدعم المتوفرة مع شراء هذا الترانزستور؟

كونه جزءًا جديدًا وأصليًا متوفر في المخزون، يغطيه سياسات الدعم والضمان القياسية لشركة Vishay. لمزيد من الدعم ما بعد البيع، يُرجى التواصل مع الموزع أو مباشرة مع Vishay.

ضمان الجودة (QC)

تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.

ضمان الجودة
الوقاية من التقليد والعيوب

الوقاية من التقليد والعيوب

فحص شامل لتحديد المكونات المزيفة أو المجددة أو المعطوبة، لضمان توصيل قطع أصلية ومتوافقة فقط

فحص التصوير والتغليف

فحص التصوير والتغليف

التحقق من الأداء الكهربائي

التحقق من مظهر المكون، العلامات، رموز التاريخ، سلامة التعبئة، وتناسق الملصقات لضمان التتبعية والتوافق.

تقييم الحياة والموثوقية

شهادة ديجيDiGi
مدونات ومشاركات
SISS76LDN-T1-GE3 CAD Models
productDetail
Please log in first.
لا توجد لديك حسابات بعد؟ تسجيل