الوقاية من التقليد والعيوب
فحص التصوير والتغليف
التحقق من الأداء الكهربائي
البريد الإلكتروني للخدمة:
[email protected]
>
SIZ270DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
695990 قطع جديدة أصلية في المخزون
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
طلب عرض سعر
(يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5.0 / 5.0
- (170 التقييمات)
SIZ270DT-T1-GE3
نظرة عامة على المنتج
12939803
رقم الجزء DiGi Electronics
SIZ270DT-T1-GE3-DGالمُصنّع
Vishay Siliconix
SIZ270DT-T1-GE3
وصف
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIRالمخزون
695990 قطع جديدة أصلية في المخزون
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
شراء واستفسار
الضمان والإرجاع
كيفية الطلب
الشحن والتوصيل
ضمان الجودة
ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.
استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.
مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة
الشحن العالمي والتغليف الآمن
التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل
عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%
تتبع فوري لكل طلب
دفع آمن ومرن
بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد
جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان
SIZ270DT-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
860pF @ 50V, 845pF @ 50V
الطاقة - الحد الأقصى
4.3W (Ta), 33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
8-PowerPair® (3.3x3.3)
رقم المنتج الأساسي
SIZ270
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
تحميل SIZ270DT-T1-GE3 مواصفات المنتج (PDF)
أوراق البيانات
Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs
ورقة بيانات HTML
SIZ270DT-T1-GE3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
742-SIZ270DT-T1-GE3CT
742-SIZ270DT-T1-GE3DKR
742-SIZ270DT-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
일처리 속도와 친절도가 정말 뛰어나요. 고객의 요구에 늘 귀 기울여 주셔서 감사했어요.
Dec 02, 2025
售後服務細心周到，遇到問題店家都積極協助解決，體驗非常好。
Dec 02, 2025
產品的耐用性非常棒，歷經多次使用仍然保持良好狀態，證明他們對品質的堅持。
Dec 02, 2025
I’m impressed by their cost-effective offerings and eco-friendly approach to packaging.
Dec 02, 2025
I appreciate their punctual shipping; it helps me plan my projects without delays.
Dec 02, 2025
Excellent communication and tracking updates during shipping.
Dec 02, 2025
I appreciate how quickly they shipped my order; it was at my doorstep before I even expected.
Dec 02, 2025
Their prompt and professional after-sales responses enhance my overall experience.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
الأسئلة المتداولة (FAQ)
ما هي الميزات الرئيسية لمصفوفة موسفت فيشي SIZ270DT-T1-GE3؟
مصفوفة موسفت فيشي SIZ270DT-T1-GE3 هي مصفوفة مكونة من موسفتين من نوع N ذات قناة مزدوجة بجهد صرف يصل إلى 100 فولت وقدرة عالية على التعامل مع التيار، مناسبة للاستخدام على الأسطح مع عبوة PowerPair® 8. وتتميز بانخفاض مقاومة Rds On، وكفاءتها في استهلاك الطاقة، وأداء موثوق ضمن نطاق درجات الحرارة التشغيلية الخاصة بها.
كيف يمكنني استخدام مصفوفة موسفت فيشي SIZ270DT-T1-GE3 في الدوائر الإلكترونية؟
هذه المصفوفة مثالية لتطبيقات التبديل عالية الكفاءة، إدارة الطاقة، والدوائر التحكم في المحركات. يسمح تكوينها المزدوج ذو القناة N بتصاميم مدمجة مع تبسيط دائرة البوابة، مما يجعلها مناسبة لمختلف أنظمة الطاقة الإلكترونية.
هل تتوافق مصفوفة موسفت فيشي SIZ270DT-T1-GE3 مع تصميم دائرتي الحالي؟
نعم، تتوافق هذه المصفوفة مع التصاميم التقليدية للدوائر المطابقة لنمط سطح اللوحة PCB وتحتاج إلى جهد بوابة يبلغ 10 فولت لتحقيق الأداء الأمثل. تتماشى مواصفاتها مع المتطلبات الشائعة للتبديل عالي التيار وتطبيقات تحويل الطاقة.
ما هي فوائد اختيار موسفت TrenchFET® من الجيل الرابع من فيشي؟
تقدم موسفتات TrenchFET® الجيل الرابع مقاومة Rds On أقل، وكفاءة محسنة، وتقليل خسائر التوصيل، مما يعزز أداء النظام بشكل عام. صممت للعمل بشكل موثوق عند درجات حرارة عالية وتوفر قدرات قوية لمعالجة الطاقة.
ماذا يجب أن أعرفه عن عملية الشراء وضمان مصفوفة موسفت فيشي SIZ270DT-T1-GE3؟
تتوفر المصفوفة في المخزون كقطعة أصلية جديدة ومتوافقة مع معايير RoHS3 ومستوى حساسية للرطوبة غير محدود. للحصول على دعم ما بعد البيع أو تفاصيل الضمان، يرجى الرجوع إلى الموزع أو قنوات خدمة العملاء الرسمية لشركة فيشي.
ضمان الجودة (QC)
تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.
SIZ270DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
