الوقاية من التقليد والعيوب
فحص التصوير والتغليف
التحقق من الأداء الكهربائي
البريد الإلكتروني للخدمة:
[email protected]
>
SQ4917EY-T1_BE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
2700 قطع جديدة أصلية في المخزون
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
طلب عرض سعر
(يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5.0 / 5.0
- (430 التقييمات)
SQ4917EY-T1_BE3
نظرة عامة على المنتج
12939240
رقم الجزء DiGi Electronics
SQ4917EY-T1_BE3-DGالمُصنّع
Vishay Siliconix
SQ4917EY-T1_BE3
وصف
MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOICالمخزون
2700 قطع جديدة أصلية في المخزون
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
شراء واستفسار
الضمان والإرجاع
كيفية الطلب
الشحن والتوصيل
ضمان الجودة
ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.
استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.
مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة
الشحن العالمي والتغليف الآمن
التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل
عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%
تتبع فوري لكل طلب
دفع آمن ومرن
بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد
جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان
SQ4917EY-T1_BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
48mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1910pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SQ4917
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
تحميل SQ4917EY-T1_BE3 مواصفات المنتج (PDF)
أوراق البيانات
Automotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
ورقة بيانات HTML
SQ4917EY-T1_BE3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SQ4917EY-T1 BE3
742-SQ4917EY-T1_BE3DKR
742-SQ4917EY-T1_BE3CT
742-SQ4917EY-T1_BE3TR
قطع بديلة
رقم الجزء
المُصنِّع
الكمية المتاحة
DiGi رقم الجزء
سعر الوحدة
نوع الاستبدال
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Their post-purchase support is top-notch and highly dependable.
Dec 02, 2025
I am pleased with the quality of the products; they are durable and reliable.
Dec 02, 2025
Their packaging packaging is a testament to their commitment to quality and customer satisfaction.
Dec 02, 2025
They make quality tech affordable, which I really appreciate.
Dec 02, 2025
Their rapid delivery service is unmatched; my order arrived faster than most other brands I’ve tried.
Dec 02, 2025
Their after-sales response was swift and helpful, addressing all my concerns.
Dec 02, 2025
Their prompt assistance and vast inventory contribute significantly to our success.
Dec 02, 2025
I found their prices to be very competitive compared to other retailers.
Dec 02, 2025
Their quick shipping makes online shopping stress-free.
Dec 02, 2025
I find their prices to be very fair and transparent.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
الأسئلة المتداولة (FAQ)
ما هي الميزات الرئيسية لمصفوفة الترانزستور MOSFET من نوع فيشاي SQ4917EY-T1_BE3؟
تُعدُّ مصفوفة الترانزستور MOSFET من نوع فيشاي SQ4917EY-T1_BE3 عبارة عن مجموعة ثنائية من الترانزستورات من نوع P-قناة بجهد تصنيف 60 فولت و تيار مصدر مستمر قدره 8 أمبير، مصممة للاستخدامات على السطح مع حزمة 8-SOIC. تتميز بمقاومة Rds(on) منخفضة تبلغ 48 ميلي أوم، وتتناسب مع الدوائر ذات الجودة العالية للسيارات وتحمل درجات حرارة مرتفعة.
هل تعتبر مصفوفة الترانزستور فيشاي SQ4917EY-T1_BE3 مناسبة للإلكترونيات السيارات؟
نعم، هذه المصفوفة معتمدة وفقًا لمعايير AEC-Q101، مما يجعلها مثالية للاستخدام في التطبيقات السياراتية التي تتطلب أداءً موثوقًا في ظروف قاسية. يضمن نطاق درجة حرارتها التشغيلية من -55°C إلى 175°C مقاومة عالية وتحمل جيد في بيئات السيارات.
ما مدى توافقية مصفوفة الترانزستور فيشاي SQ4917EY-T1_BE3 مع تصاميم الدوائر المختلفة؟
يُعدُّ التكوين الثنائي من نوع P-قناة وحزمة 8-SOIC على السطح، من العوامل التي تجعل هذه المجموعة مرنة وسهلة الدمج في تصميمات الدوائر المختلفة، خاصة في إدارة الطاقة وتبديل الأحمال.
ما فوائد اختيار مصفوفة الترانزستور فيشاي SQ4917EY-T1_BE3 مقارنة مع مجموعات MOSFET الأخرى؟
تقدم هذه المصفوفة مقاومتها Rds(on) منخفضة، وقدرة عالية على تبديد الطاقة (حتى 5 واط)، وتحمل جيد لدرجات الحرارة، مما يتيح تبديل فعال مع توليد حراري محدود ويضمن أداء موثوق في التطبيقات الحيوية.
ماذا ينبغي أن أضع في اعتباري بالنسبة لتوافر ودعم مصفوفة الترانزستور فيشاي SQ4917EY-T1_BE3؟
المنتج متوفر حالياً بكميات تصل إلى 3,765 وحدة، ومتوافق مع معايير RoHS3. ونظرًا لأن المنتج أصبح قديمًا، يُنصَح بالتحقق من حالة المخزون والنظر في بدائل أو منتجات مشابهة مناسبة لمشروعك.
ضمان الجودة (QC)
تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.
SQ4917EY-T1_BE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQ4917EY-T1_BE3 PCB symbols & footprints
productDetail
