الوقاية من التقليد والعيوب
فحص التصوير والتغليف
التحقق من الأداء الكهربائي
البريد الإلكتروني للخدمة:
[email protected]
>
SQJQ112E-T1_GE3
Vishay Siliconix
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
240100 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
طلب عرض سعر
(يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5.0 / 5.0
- (431 التقييمات)
SQJQ112E-T1_GE3
نظرة عامة على المنتج
12965597
رقم الجزء DiGi Electronics
SQJQ112E-T1_GE3-DGالمُصنّع
Vishay Siliconix
SQJQ112E-T1_GE3
وصف
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)المخزون
240100 قطع جديدة أصلية في المخزون
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
شراء واستفسار
الضمان والإرجاع
كيفية الطلب
الشحن والتوصيل
ضمان الجودة
ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.
استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.
مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة
الشحن العالمي والتغليف الآمن
التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل
عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%
تتبع فوري لكل طلب
دفع آمن ومرن
بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد
جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان
SQJQ112E-T1_GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
TrenchFET® Gen IV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
296A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.53mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
272 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15945 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
600W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 8 x 8
العبوة / العلبة
PowerPAK® 8 x 8
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
تحميل SQJQ112E-T1_GE3 مواصفات المنتج (PDF)
أوراق البيانات
SQJQ112E
ورقة بيانات HTML
SQJQ112E-T1_GE3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
배송이 빠르고, 포장재가 재활용 가능해서 기쁜 마음으로 받았어요.
Dec 02, 2025
Ich wurde nicht enttäuscht von der Geschwindigkeit, mit der meine Bestellung versandt wurde – sehr schnell und zuverlässig.
Dec 02, 2025
Ich war angenehm überrascht, wie zügig meine Bestellung bei DiGi Electronics ankam. Das hat meinen Tag definitiv verbessert.
Dec 02, 2025
Impressed with their responsiveness and clear communication.
Dec 02, 2025
Their commitment to continuous support ensures that we always have help when needed.
Dec 02, 2025
The company's proactive after-sales approach reduces downtime and increases productivity.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
الأسئلة المتداولة (FAQ)
ما هي الميزات الرئيسية لترانزيستور MOSFET الخاص بسيارات فيشي (SQJQ112E-T1_GE3)؟
يتيح هذا الترانزيستور قدرة تحمل فولتية تبلغ 100 فولت، والتيار المستمر العالي للمصدر (الدرين) يصل إلى 296 أمبير، مع قدرة تبديد طاقة قصوى تصل إلى 600 واط. يتميز بانخفاض مقاومة Rds On (2.53 مΩ عند 20 أمبير و10 فولت)، وهو مصمم للاستخدامات في السيارات لضمان أداء موثوق في بيئات ذات طاقة عالية.
هل الترانزيستور فيشي SQJQ112E-T1_GE3 مناسب لنظم الإلكترونيات في السيارات؟
نعم، هذا الترانزيستور معتمد خصيصًا للاستخدام في السيارات وفقًا لمعيار AEC-Q101، مما يجعله مثاليًا لإدارة طاقة السيارات، وتشغيل المحركات، والإلكترونيات الصناعية التي تتطلب متانة وموثوقية عالية.
ما هو نطاق درجات الحرارة التشغيلية لهذا الترانزيستور Power MOSFET؟
يمكن لترانزيستور فيشي SQJQ112E-T1_GE3 العمل ضمن نطاق درجات حرارة يتراوح بين -55°C و175°C (TJ)، مما يجعله مناسبًا للاستخدام في بيئات السيارات والصناعات القاسية.
هل يدعم هذا الترانزيستور تقنية التركيب على السطح لتسهيل تركيب الدوائر المطبوعة (PCB)؟
نعم، يأتي فيعبوة PowerPAK® بحجم 8 × 8 مع نوع تركيب على السطح (Surface Mount)، مما يسهل عملية التجميع ويوفر أداء حراري جيد.
ما الذي يجب أن أعرفه عن الخصائص الكهربائية وموثوقية هذا الترانزيستور؟
يحتوي هذا الترانزيستور على جهد عتبة البوابة حوالي 3.5 فولت، وكمية شحن بوابة منخفضة تصل إلى 272 نانو كولوم، وقدرة عالية على التعامل مع التيارات، مما يضمن خسائر مقاومة منخفضة واستقرارًا عالياً في التطبيقات التي تتطلب أداءً عاليًا.
ضمان الجودة (QC)
تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.
SQJQ112E-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJQ112E-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
