الوقاية من التقليد والعيوب
فحص التصوير والتغليف
التحقق من الأداء الكهربائي
البريد الإلكتروني للخدمة:
[email protected]
>
SUD09P10-195-BE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
4845 قطع جديدة أصلية في المخزون
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
طلب عرض سعر
(يشحن غداً)
*الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
5.0 / 5.0
- (66 التقييمات)
SUD09P10-195-BE3
نظرة عامة على المنتج
12973812
رقم الجزء DiGi Electronics
SUD09P10-195-BE3-DGالمُصنّع
Vishay Siliconix
SUD09P10-195-BE3
وصف
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAKالمخزون
4845 قطع جديدة أصلية في المخزون
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
شراء واستفسار
الضمان والإرجاع
كيفية الطلب
الشحن والتوصيل
ضمان الجودة
ضمان جودة لمدة 365 يومًا - كل جزء مضمون بالكامل.
استرداد أو استبدال لمدة 90 يومًا - هل هناك أجزاء معطوبة؟ لا داعي للقلق.
مخزون محدود، اطلب الآن - احصل على قطع عالية الجودة بثقة
الشحن العالمي والتغليف الآمن
التوصيل العالمي خلال 3-5 أيام عمل
عبوة مقاومة للكهرباء الساكنة بنسبة 100%
تتبع فوري لكل طلب
دفع آمن ومرن
بطاقة الائتمان، فيزا، ماستركارد، باي بال، ويسترن يونيون، التحويل البنكي (T/T) والمزيد
جميع المدفوعات مشفرة لضمان الأمان
SUD09P10-195-BE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات, ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
195mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1055 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SUD09
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
تحميل SUD09P10-195-BE3 مواصفات المنتج (PDF)
أوراق البيانات
P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
ورقة بيانات HTML
SUD09P10-195-BE3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
742-SUD09P10-195-BE3CT
742-SUD09P10-195-BE3DKR
742-SUD09P10-195-BE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Die Nachverkaufsbetreuung bei Di Digi Electronics ist hervorragend. Probleme werden schnell und professionell gelöst.
Dec 02, 2025
The packaging from DiGi Electronics is always secure and intact upon delivery, reflecting their attention to detail.
Dec 02, 2025
The consistent performance of their products reflects their commitment to quality control.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
الأسئلة المتداولة (FAQ)
ما الميزات الرئيسية لترانزستور MOSFET من نوع فيشي P-Channel SUD09P10-195-BE3؟
يوجد هذا الترانزستور من نوع MOSFET على أنه من نوع P-Channel ويتمتع بجهد تصنيفي قدره 100 فولت والتيار المستمر للصرف 8.8 أمبير. يتميز بمقاومة Rds On منخفضة (195 مللي أوم عند 10 فولت)، ويأتي بتصميم لتركيب سطحي من خلال حزمة TO-252AA، وهو مناسب لتطبيقات التبديل عالية الكفاءة.
هل يتوافق ترانزستور MOSFET من نوع فيشي SUD09P10-195-BE3 مع voltages دبابيس البوابة المختلفة؟
نعم، يمكن تشغيل هذا الترانزستور بجهد Vgs أقصى قدره ±20 فولت، ويعمل عادة بجهد تشغيل يتراوح بين 4.5 فولت إلى 10 فولت، مما يجعله متوافقًا مع دوائر تحكم بوابة قياسية لأداء فعال.
ما هي التطبيقات النموذجية لهذا الترانزستور MOSFET من نوع P-Channel من فيشي؟
مثالي لتبديل الطاقة في الإلكترونيات الاستهلاكية، السيارات، والتطبيقات الصناعية، حيث تتطلب كفاءة عالية وأداء موثوق به في تصاميم التركيب السطحي.
هل يناسب هذا الترانزستور من فيشي للعمل في بيئات ذات درجات حرارة عالية؟
نعم، يعمل ضمن نطاق درجة حرارة يتراوح بين −55°C و150°C، مما يضمن الثبات والأداء في ظروف درجات الحرارة المرتفعة عادةً في إلكترونيات الطاقة.
ما هي فوائد اختيار هذا الـ MOSFET من فيشي في مشروعي؟
بفضل مقاومته Rds On المنخفضة، قدرته العالية على تبديد الطاقة، وتصميمه المدمج بتركيب سطحي، يُعتبر خيارًا موثوقًا لإدارة الطاقة بكفاءة والتبديل بسرعة عالية.
ضمان الجودة (QC)
تضمن DiGi جودة وأصالة كل مكون إلكتروني من خلال فحوصات مهنية واختبارات دفعات، مما يضمن مصدر موثوق، أداء مستقر، والامتثال للمواصفات الفنية، مما يساعد العملاء على تقليل مخاطر سلسلة التوريد واستخدام المكونات بثقة في الإنتاج.
SUD09P10-195-BE3 CAD Models
Vishay Siliconix SUD09P10-195-BE3 PCB symbols & footprints
productDetail
